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文章詳情
IGBT模塊的幾項(xiàng)新技術(shù)介紹
日期：2026-03-15 12:26
瀏覽次數(shù)：1025
摘要：
IGBT的模塊內(nèi)置整流模塊電路、逆變主回路和再生回路，以降低損耗和降低成本，這種新型模塊稱為功率集成模塊，簡(jiǎn)稱PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模塊是一種高速開關(guān)，第四代IGBT在開發(fā)中主要采取如下幾項(xiàng)新技術(shù)。
(1)FWD(FreeWheelingDiode)技術(shù)
在模塊中選用降低正向電壓(VF)的二極管器件，據(jù)測(cè)試在600V和1200V系列中，逆變器載波頻率為10kHz時(shí)產(chǎn)生的損耗與舊系列相比降低20%。
(2)蝕刻模塊單元的微細(xì)化技術(shù)
由于控制極的寬度(LH)已達(dá)到*佳化設(shè)計(jì)，故集電—射極之間的飽和電壓VCE(SAT)可降低0.5V，使開關(guān)損耗降低。
(3)NPT(NonPunchThrough)技術(shù)
使載流子壽命得到控制，從而減少開關(guān)損耗對(duì)溫度的依存性。這樣，可減少長(zhǎng)期使用過程中的開關(guān)損耗。
對(duì)于IGBT這類高速開關(guān)的要求無非是高速性和柔性恢復(fù)性。對(duì)于正向電壓VF和恢復(fù)損耗Err二者相比，在設(shè)計(jì)時(shí)寧可選擇較高的VF值。但當(dāng)選用高VF值在變頻器低頻工作時(shí)，將會(huì)使FWD的導(dǎo)通時(shí)間加長(zhǎng)并使平均損耗增加，也使變頻器在低速高力矩時(shí)溫升提高。為此第四代IGBT特別注意到設(shè)計(jì)*佳的電極構(gòu)造，從而改善了VF、Err關(guān)系，使FWD的VF降低0.4V～0.5V，總損耗減少20%。
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