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文章詳情
IGBT模塊常用的功率器件
日期：2025-04-23 12:07
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摘要：
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
變頻器向前發(fā)展，一直是隨著電力電子器件的發(fā)展而發(fā)展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個(gè)新飛躍，必定有新的變頻器出現(xiàn)。在20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了硅晶閘管(SCR);60年代出現(xiàn)可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現(xiàn)了高功率晶體管(GTR)和功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET);80年代相繼出現(xiàn)了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強(qiáng)注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現(xiàn)智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現(xiàn)，相應(yīng)出現(xiàn)了以這些逆變器件為主的變頻器，反過(guò)來(lái)，變頻器要求逆變器件有個(gè)理想的靜態(tài)特性：在阻斷狀態(tài)時(shí)，能承受高電壓;在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，能大電流通過(guò)和低的導(dǎo)通壓降，損耗小，發(fā)熱量小;在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，具有短的開、關(guān)時(shí)間，即開關(guān)頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等特點(diǎn)，當(dāng)然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個(gè)方向發(fā)展，達(dá)到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
變頻器向前發(fā)展，一直是隨著電力電子器件的發(fā)展而發(fā)展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個(gè)新飛躍，必定有新的變頻器出現(xiàn)。在20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了硅晶閘管(SCR);60年代出現(xiàn)可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現(xiàn)了高功率晶體管(GTR)和功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET);80年代相繼出現(xiàn)了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強(qiáng)注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現(xiàn)智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現(xiàn)，相應(yīng)出現(xiàn)了以這些逆變器件為主的變頻器，反過(guò)來(lái)，變頻器要求逆變器件有個(gè)理想的靜態(tài)特性：在阻斷狀態(tài)時(shí)，能承受高電壓;在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，能大電流通過(guò)和低的導(dǎo)通壓降，損耗小，發(fā)熱量小;在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，具有短的開、關(guān)時(shí)間，即開關(guān)頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等特點(diǎn)，當(dāng)然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個(gè)方向發(fā)展，達(dá)到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
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