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IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn)

日期:2025-04-25 22:44
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摘要:
  IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種元件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種元件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET元件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型元件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管中間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
    若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E中間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極C與基極中間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極中間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型元件,在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級(jí)的漏電流流過,基本上不消耗功率。
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