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IGBT模塊的產品特點
日期：2025-04-25 22:50
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摘要：
IGBT模塊由MOSFET和雙極型晶體管復合的一個組件,它的輸入是極其MOSFET,輸出非常PNP晶體管,它將兩個組件的優(yōu)點,既有MOSFET器件驅動的優(yōu)勢,小功率和開關速度快,具有雙相情感元素的優(yōu)勢,低飽和電壓,容量大,其頻率特性和功率晶體管之間MOSFET,可以正常工作在幾十千赫頻率范圍,在現代電力電子技術已經被越來越多的廣泛使用,在高頻率的大、**率應用占據了主導地位。如果在中間的IGBT門G和發(fā)射極E和驅動正電壓,接通,這收集器MOSFET C和底部的PNP晶體管晶體管傳導為中間低阻狀態(tài);如果IGBT門和發(fā)射極電壓為0 v,MOS切斷,切斷了PNP晶體管基極電流供應,晶體管截止。IGBT作為MOSFET是電壓控制元件,在網格G - 10 V直流電壓之間應用發(fā)射器E,只有在uA水平的泄漏電流通過,基本上不消耗功率。
尊敬的客戶： 您好！北京昊天成科技有限公司是一支技術力量雄厚的高素質的開發(fā)群體。你當前所在頁面是GBT模塊產品，如果你對該產品感興趣的話，可以撥打我們的服務專線了解更多相關產品的詳細信息，我們將竭盡全力的為您服務,主要產品有：BUSSMANN、BUSSMANN熔斷器、西門康IGBT等。
