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ABB可控硅的廣泛用途 普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以*簡單的單相半波可控整流電路為例，ABB可控硅在正弦交流電壓U2的正半...發(fā)布時(shí)間：2017-01-17 點(diǎn)擊次數(shù)：724 次
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IGBT模塊的發(fā)展簡述 IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）的英文縮寫。它是八十年代末，九十年代初迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有...發(fā)布時(shí)間：2017-01-06 點(diǎn)擊次數(shù)：705 次
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在安裝或更換IGBT模塊時(shí)注意些什么？ 在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱**時(shí)將導(dǎo)致...發(fā)布時(shí)間：2016-12-23 點(diǎn)擊次數(shù)：706 次
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熔斷器的使用維護(hù) 熔斷器是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛...發(fā)布時(shí)間：2016-12-13 點(diǎn)擊次數(shù)：699 次
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FERRAZ熔斷器的組成結(jié)構(gòu)及其作用 FERRAZ熔斷器熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時(shí)，將熔斷器串聯(lián)于被保護(hù)...發(fā)布時(shí)間：2016-11-29 點(diǎn)擊次數(shù)：735 次
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ABB可控硅結(jié)構(gòu)原件 ABB可控硅結(jié)構(gòu)原件 可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也...發(fā)布時(shí)間：2016-11-17 點(diǎn)擊次數(shù)：723 次
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使用IGBT模塊時(shí)要注意的事項(xiàng) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此在使用模塊時(shí)，盡量...發(fā)布時(shí)間：2016-11-06 點(diǎn)擊次數(shù)：676 次
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ABB可控硅陽極與陰極的結(jié)構(gòu) ABB可控硅的陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)...發(fā)布時(shí)間：2016-10-25 點(diǎn)擊次數(shù)：702 次
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IGBT模塊發(fā)展歷史 IGBT模塊發(fā)展歷史 1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。IGBT模塊表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。 8...發(fā)布時(shí)間：2016-10-14 點(diǎn)擊次數(shù)：751 次
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IGBT模塊適用于哪些領(lǐng)域？ IGBT模塊適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM...發(fā)布時(shí)間：2016-09-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1074 次
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ABB可控硅的結(jié)構(gòu) ABB可控硅的結(jié)構(gòu) ABB可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于...發(fā)布時(shí)間：2016-09-23 點(diǎn)擊次數(shù)：761 次
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IGBT模塊散熱器的安裝方法介紹 IGBT模塊散熱器的安裝①散熱器應(yīng)根據(jù)使用環(huán)境及模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，以保證模塊工作時(shí)對散熱器的要求。②散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10mm，每個(gè)螺絲之間的平面扭曲小于10mm。為了減少接觸熱阻，推薦在散熱器與模塊...發(fā)布時(shí)間：2016-09-19 點(diǎn)擊次數(shù)：913 次
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FERRAZ熔斷器常見種類 FERRAZ熔斷器常見種類 插入式熔斷器：它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。螺旋式熔斷器：熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的...發(fā)布時(shí)間：2016-09-13 點(diǎn)擊次數(shù)：847 次
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IGBT模塊的選擇方法 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊...發(fā)布時(shí)間：2016-09-05 點(diǎn)擊次數(shù)：852 次
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IXYS可控硅晶閘管特性 IXYS可控硅晶閘管特性 為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的IXYS可控硅工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，...發(fā)布時(shí)間：2016-08-26 點(diǎn)擊次數(shù)：730 次
