聯(lián)系我們
聯(lián)系人:王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)專線:13522816641
電 話:010-62842129 82176483
傳 真:010-62561983
QQ: 871252939
QQ: 871252939
MSN:jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail:bjhtc2011@126.com
地址:北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站www.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品,
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
E-mail:bjhtc2011@126.com
地址:北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站www.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品,
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
-
BUSSMANN的介紹 1914年,Bussmann五兄弟開始在家里生產(chǎn)熔斷器,不久遷入一小型廠房,開始了汽車熔斷器的生產(chǎn)。1985年,Cooper(庫柏工業(yè))購買該公司,成立了新的事業(yè)部—“CooperBussmann熔斷器”...發(fā)布時間:2016-08-18 點擊次數(shù):770 次
-
IGBT模塊簡單介紹 IGBT模塊簡單介紹 IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導...發(fā)布時間:2016-08-11 點擊次數(shù):848 次
-
FERRAZ熔斷器的級間配合 為防止發(fā)生越級熔斷、擴大事故范圍,上、下級(即供電干、支線)線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時,應(yīng)使上級(供電干線)FERRAZ熔斷器的熔體額定電流比下級(供電支線)的大1~2個級差。常用的熔斷器有管式熔斷...發(fā)布時間:2016-08-08 點擊次數(shù):806 次
-
IGBT模塊的技術(shù)發(fā)展 IGBT模塊采用IC驅(qū)動,各種驅(qū)動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—...發(fā)布時間:2016-08-03 點擊次數(shù):755 次
-
ABB可控硅的形式 常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:平均值1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50...發(fā)布時間:2016-07-25 點擊次數(shù):872 次
-
IGBT模塊的作用 1. IGBT模塊的選擇 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所用于裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。用于中當模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此...發(fā)布時間:2016-07-19 點擊次數(shù):864 次
-
IXYS可控硅結(jié)構(gòu)原件 IXYS可控硅結(jié)構(gòu)原件 IXYS可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整...發(fā)布時間:2016-07-13 點擊次數(shù):757 次
-
IXYS可控硅的方法 晶閘管的特點是具有可控的單向?qū)щ?,即與一般的二極管相比,可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點,IXYS可控硅廣泛用于無...發(fā)布時間:2016-07-07 點擊次數(shù):848 次
-
BUSSMANN熔斷器簡單介紹 BUSSMANN熔斷器簡單介紹 BUSSMANN熔斷器(fuse)是指當電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從...發(fā)布時間:2016-06-30 點擊次數(shù):743 次
-
IGBT模塊使用注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是(IGBT模塊)IGBT失效的常見原因之一。因...發(fā)布時間:2016-06-24 點擊次數(shù):852 次
-
BUSSMANN熔斷器常見種類 BUSSMANN熔斷器常見種類 插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。 螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過...發(fā)布時間:2016-06-17 點擊次數(shù):789 次
-
FERRAZ熔斷器的結(jié)構(gòu)與功能特點 FERRAZ熔斷器是利用金屬導體作為熔體串聯(lián)于電路中,當過載或短路電流通過熔體時,因其自身發(fā)熱而熔斷,從而分斷電路的一種電器。熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護設(shè)備的負荷電流選擇,熔斷器額定...發(fā)布時間:2016-06-08 點擊次數(shù):788 次
-
IGBT模塊的靜態(tài)特性 IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。IGBT模塊的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與...發(fā)布時間:2016-06-03 點擊次數(shù):713 次
-
IGBT模塊驅(qū)動保護要點 IGBT模塊的應(yīng)用電路有半橋電路逆變、全橋電路逆變、三相逆變、斬波應(yīng)用等。IGBT模塊已被廣泛應(yīng)用于UPS、感應(yīng)加熱電源、逆變焊機電源和電機變頻調(diào)速等電源領(lǐng)域。1、IGBT柵極驅(qū)動電壓Uge理論上Uge≥...發(fā)布時間:2016-05-30 點擊次數(shù):792 次
-
IGBT模塊散熱器*基本的使用說明 IGBT模塊散熱器*基本的用于說明。㈠依據(jù)裝置負載的工作電壓和額定電流以及用于頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。用戶用于模塊前請詳細閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項技術(shù)指標;根據(jù)模塊各項技術(shù)參數(shù)確定用于方案,計算通態(tài)...發(fā)布時間:2016-05-20 點擊次數(shù):760 次